#态翻转

比DRAM快1000倍！新存储器件实现40皮秒切换：几乎不发热

快科技5月21日消息，东京大学研究团队在自旋电子存储领域取得进展，成功演示了一种基于反铁磁材料锰锡（Mn₃Sn）的非易失性磁切换器件。该器件能够在40皮秒（皮秒=万亿分之秒）内完成状态翻转，比DRAM的纳秒级切换速度快约1000倍，且切换过