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TrendForce 预测：DRAM 内存、NAND 合约价 2026Q4 结算上涨 15~20%

IT之家 9 月 30 日消息，TrendForce（集邦）今日发布存储器市场 2026Q4 走势预测：一般 DRAM 合约价将环比上涨 10~15%，计入 HBM 后的 整体 DRAM 合约价上涨 15~20% ； NAND 闪存整体合约

DRAM NAND TrendForce

2026-09-30 IT之家

数码硬件 None

消息称三星电子首代亚 10nm 级 DRAM 内存将采用混合键合结构

IT之家 9 月 23 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子存储器业务近期调整了其先进内存技术的路线图， 首代亚 10nm 级 DRAM 将采用混合键合结构 。 三星电子正平行开发两种首代亚 10nm 级 DR

DRAM D0a 10nm

2026-09-23 IT之家

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苹果测试长鑫存储，存储器市场在释放什么信号

苹果 正在测试长鑫存储（CXMT）的 DRAM 内存芯片，用于 iPhone 和 MacBook 产品线。据报道，苹果已启动对长鑫存储 DRAM 的测试，更早的 7 月便有报道称，苹果为中国市场销售的设备启动了对长鑫存储 DRAM 的测试。

DRAM 2026 Cook

2026-08-10 硅谷Tech news

数码硬件 None

消息称华邦将加入台积电 WoW 先进封装内存晶圆供应链

IT之家 6 月 29 日消息，台媒《经济日报》今日报道称， 华邦电子 (Winbond) 将加入台积电 WoW（晶圆对晶圆）3D 堆叠先进封装的内存晶圆供应链 ，成为三大主要 DRAM 企业外的新的供应方。IT之家注意到，华邦早在 202

WoW DRAM HBM

2026-06-29 IT之家

数码硬件 None

重夺领先地位！三星HBM4销售额突破10亿美元

快科技6月24日消息，据TrendForce报道， 三星在AI半导体领域重夺领先地位， 其HBM4产品在量产后仅四个月，收入便突破10亿美元，成为业内率先达到这一关键里程碑的厂商。业内人士透露，按照当前出货速度，截至6月末，该数字有望进一步

HBM 亿美元 的是

2026-06-24 鹿角

数码硬件 None

TrendForce：消费级内存紧缺态势延伸至 DDR2 产品，预估第二季度合约价涨幅达 55-60%

IT之家 6 月 22 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新研究显示，由于成熟制程 DRAM 供给结构性紧缩，迫使 Consumer DRAM（消费级内存）需求方采用旧世代产品以取得较多的 DRAM 供应配额，带动近期产业出现新

DRAM DDR Consumer

2026-06-22 IT之家

数码硬件 None

内存危机波及GPU市场！AMD RX 9000系列计划涨价10-15%

快科技6月20日消息，据报道，AMD计划在2026年第三季度再次上调Radeon RX 9000系列显卡价格，涨幅预计为10%至15%。消息称此轮调整最快7月落地，主要原因是AMD预计下半年显存（VRAM）价格将继续上涨。自本轮存储芯片涨价

AMD DRAM RTX

2026-06-20 红茶

科技头条 None

年产 1533 亿 Gb DRAM 内存芯片，三星越南首座半导体测试工厂有望明年投产

IT之家 5 月 27 日消息，路透社今天（5 月 27 日）披露一份项目文件，显示三星计划越南投资 39 万亿越南盾（IT之家注：现汇率约合 100。23 亿元人民币）， 建设其在越南首座芯片测试工厂。该工厂选址位于河内以北约 60 公里

芯片 芯片测试 方面

2026-05-27 IT之家

数码硬件 None

中国第一大DRAM！长鑫科技冲击科创板 市值看高至3万亿

快科技5月27日消息， 中国第一大DRAM厂商长鑫科技今天登陆科创板上会审核 ，一旦顺利过会，有望成为科创板重量级芯片IPO，市场看好其市值冲击2万亿元到3万亿元区间。长鑫科技 今年一季度业绩非常亮眼，成功扭亏为盈，归母净利润247。62亿

亿元 长鑫科技 归母净利

2026-05-26 随心

数码硬件 None

TrendForce：美光弗州新产能投运并不意味总 (LP) DDR4 产能增加

IT之家 5 月 26 日消息，机构 TrendForce（集邦）今日表示，Micron（美光）在其位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的 Fab 6 晶圆厂 启动 1α (1-alpha) 工艺 DRAM 的生产 仅是企业内部产能配置的调整，旨在为

DDR DRAM 之家

2026-05-26 IT之家

游戏 None

首个海外品牌：海盗船 DDR5 内存条被发现采用长鑫 DRAM 芯片

IT之家 5 月 26 日消息，5 月 22 日，博主 @wxnod 发现海盗船（Corsair）最新批次 Vengeance DDR5 内存条中使用了长鑫存储的 DRAM 颗粒。该模组为 16GB 容量，规格为 DDR5-6000，时序

DDR DRAM 颗粒

2026-05-25 IT之家

数码硬件 None

美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产

IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能 ，同时还计划于 明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产。当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马

HBM DRAM 美光表示

2026-05-25 IT之家

数码硬件 None

拒绝挤牙膏！美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定

快科技5月25日消息，据报道， 美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚日前在摩根大通投资大会确认，该产品将应用于英

HBM 工艺 DRAM

2026-05-25 于浮

数码硬件 None

最赚钱的海力士，其实是存储周期里的「输家」

文 | 略大参考，作者 | 刘 然，编辑 | 杨知潮 商业上有两类赢法：一类是努力终有回响，一类是风口来了猪都会飞。SK海力士本以为自己是第一类，但2025年的存储周期证明——在风口面前，努力有时敌不过运气。SK海力士是努力的那类人。

HBM DRAM 海力士的

2026-05-25 略大参考

数码硬件 None

年底国产旗舰会破1万元！雷军强烈建议大家现在就换手机：这就是当下现状

快科技5月22日消息，在昨天的发布会上，雷军公开表示，未来手机可能会越来越贵，若计划一年换手机，强烈推荐现在就换。新品发布会结束后，雷军在后续的媒体群访中公开表态，小米是去年行业里率先预警内存涨价趋势的厂商，接下来两年存储价格都会保持持续上

DRAM NAND 快科技

2026-05-21 雪花

数码硬件 None

雷军强烈建议大家现在就换手机：内存成本持续上涨 未来两年还会越来越贵

快科技5月21日消息，小米17 MAX今晚正式发布，定价只比普通版贵了300元，国补到手价4299元起。值得注意的是，小米创始人雷军在发布会上公布价格时提到，在内存暴涨的当下，小米给出的定价还是非常超值的。他强调，未来两年，据我们的预测，内

预测 上涨 DRAM

2026-05-21 建嘉

数码硬件 None

比DRAM快1000倍！新存储器件实现40皮秒切换：几乎不发热

快科技5月21日消息，东京大学研究团队在自旋电子存储领域取得进展，成功演示了一种基于反铁磁材料锰锡（Mn₃Sn）的非易失性磁切换器件。该器件能够在40皮秒（皮秒=万亿分之秒）内完成状态翻转，比DRAM的纳秒级切换速度快约1000倍，且切换过

研究团队 皮秒 态翻转

2026-05-21 黑白

数码硬件 None

三星电子工会宣布明日起全面罢工 威刚：内存、闪存将再掀涨价潮

据工商时报报道，三星电子劳资谈判最终破裂， 工会已于5月20日宣布调解程序终结，将于5月21日至6月7日启动史上最大规模全面罢工。威刚董事长陈立白明确表示， 此次罢工“势不可免”，若持续时间拉长，将进一步冲击全球存储芯片供给，推动内存、闪存

DRAM 此次罢工 将进一步

2026-05-20 朝晖

数码硬件 None

2nm以下芯片倒计时！ASML官宣最强光刻机即将出货首批芯片

快科技5月20日消息， ASML CEO傅恪礼近日正式宣布，首批采用新一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机制造的芯片产品将在未来数月内问世，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。傅恪礼指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以

EUV High ASML

2026-05-20 红茶

数码硬件 None

中国内存终于要把价格打下来了！前三星芯片负责人：内存明年将显著降价

快科技5月19日消息，内存涨价不休，何时才能回落。前三星芯片负责人给出了明确答案。三星电子设备解决方案部门常任顾问、三星半导体（DS）部门前总裁庆桂显（Kye-hyunKyung）在首尔举行的韩国工程院（NAEK）第285届论坛上发表演讲称

DRAM 回落 明年下半

2026-05-19 朝晖