产量全球第四 市占率11%：长存集团启动IPO！

继5月17日，国产存储芯片大厂长鑫科技更新IPO招股书，并披露了炸裂的财务数据引发市场热议后，又一家国产存储芯片龙头也启动了IPO。 5月19日，据证监会官网消息， 国产存储芯片龙头长江存储控股股份有限公司（下称“长存集团”）正式提交了IPO上市辅导备案。辅导机构为中信证券和中信建投。 资料显示，长存集团成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。其全资子公司长江存储在胡润研究院2025全球独角兽榜中位列中国十大独角兽第9、全球第21，估值1600亿元，是半导体行业估值最高的独角兽。 Xtacking改写3D NAND游戏规则 作为长存集团发展的核心引擎，长江存储在存储芯片技术领域屡获突破，斩获多项国际大奖，为产品创新奠定了坚实的技术基础。其，长江存储自主研发的晶栈Xtacking架构是企业的核心技术王牌，该架构开创性的采用了晶圆键合这一关键技术，在传输速度、存储密度、研发效率及生产周期都具有突破性优势。 过去传统的NAND Flash制造是只使用一块晶圆，NAND 阵列和CMOS电路的集成要么是将CMOS电路放置在单元阵列旁边（CMOS Next Array 或 CAN），要么将CMOS电路放置在 NAND 阵列 (CUA) 下方。 大多数 NAND Flash供应商在其最初的 3D NAND 工艺中实施 CAN 方法，然后在后续工艺中迁移到 CUA架构。仅美光和Solidigm 在 32 层 3D NAND 路线图之初就实施了 CUA架构。随后三星、SK海力士也转向了CUA架构，三星称之为COP（Cell-on-Perry），SK海力士称之为PUC（Cell-Under-Cell）。 在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上，这也造成了存储密度的降低。同时，这种方法最多可容纳300多层的NAND，否则施加于底部电路上的压力可能会对电路造成损坏。 为了解决这一问题，长江存储早在2018年推出了全新的Xtacking技术，推动了高堆叠层数的3D NAND制造开始转向了CBA（CMOS 键合阵列）架构。即通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上。 由于NAND晶圆和CMOS电路晶圆可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。同时，CBA 架构也可以使得NAND芯片的每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。 Xtacking架构凭借独特的设计理念与领先的技术性能，先后三次斩获FMS奖项，成为全球3D NAND技术领域的重要创新成果。目前晶栈Xtacking架构已经迭代至4.0版本，Xtacking 4.0也在2025年8月斩获FMS 2025 3D NAND类目“最具创新存储技术奖”，这一奖项的获得，充分印证了长江存储在3D NAND技术领域的重要地位，也体现了国际市场对国产存储芯片技术的高度认可。 依托Xtacking这一核心技术，长江存储率先业界量产了232层NAND产品，并且有消息显示采用Xtacking 4.0架构的长江存储新一代NAND闪已经达到300层以上。 值得一提的是，Xtacking技术的实现，需要将分别用于制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路的两片晶圆进行完美的垂直互连，而这必须要用到混合键合技术，因此，长江存储在推动Xtacking技术持续多年的不断迭代商用过程中积累了大量的相关专利。 因此，当三星、SK海力士等存储大厂转向与Xtacking技术类似的架构时将不可不免的面临专利方面的障碍。 2025年2月，韩国媒体ZDNet Korea就曾报道称， 多位知情人士表示，三星与长江存储签署“混合键合”技术专利许可协议，是因为三星的判断是“开发 V10、V11 和 V12 等下一代 NAND Flash，几乎不可能规避长江存储的专利”。 这样从侧面印证了长江存储强大的技术积累。 OEM端多点开花，自有品牌“致态”领跑 得益于技术上的领先，长江存储作为最大的国产NAND Flash制造商，近年来在国内市场也取得出色的成绩。 在面向B端客户的供应链（OEM）端，长江存储的存储颗粒和解决方案已被江波龙、佰维存储等模组厂，以及华为、雷克沙、光威、宏碁等品牌厂商广泛采用。 在消费级零售市场，长江存储的自有品牌“致态”（ZHITAI）也已经在国内SSD硬盘市场占据了重要地位。根据京东平台的数据，在2025年的“双十一”购物节中，致态品牌获得了SSD品类的交易总额（GMV）与总销量的双料冠军。这已经是致态连续第三次在大型电商促销活动中取得这一成绩，此前在2024年的“双十一”和2025年的“618”也均实现了SSD品类的“双冠王”。其中，TiPlus7100这款固态硬盘产品，更是在2025年“双十一”期间拿下了单一产品的销量冠军。 长江存储近期推出首款PCIe 5.0商用SSD——PC550，该产品搭载X4-9070 3D TLC闪存颗粒，接口速率为3600MT/s，相比上一代提升50%，存储密度也提升了36%。凭借领先的技术性能成功跻身PCIe 5.0消费级赛道主流阵营，彰显了长存集团在高端存储领域的硬核技术实力。 可以说，PC550的推出，是长存集团将核心技术转化为市场产品的重要成果，不仅丰富了企业的高端产品矩阵，也进一步完善了企业的产品布局，满足了市场对高端存储产品的需求。 另外，自去年下半年以来，由于人工智能需求爆发所驱动的庞大数据存储需求，导致NAND Flash供不应求、价格暴涨，由于三星、SK海力士、美光等原厂优先供应数据中心及企业级应用，使得众多消费类电子品牌大厂都面临供应短缺和成本问题。 因此，自年初以来一直有传闻称，多家国际PC大厂和某智能手机大厂都有考虑采用长江存储的NAND Flash。 若传闻属实，这将标志着长江存储的客户群将从以中国为中心的市场重新进入全球顶级手机制造商的供应链。 三期项目建设加速，总产量将达全球第三 近年来，随着长江存储在国内市场的持续开拓，其产能也在持续扩张。 长江存储武汉一期项目于于2016年12月正式开工建设，规划总投资240亿美元（含二期），2018年底建成投产，经过数年建设与产能爬坡，这条产线已经稳定在月产10万片12英寸晶圆的满产状态。 2020年6月，长江存储二期项目正式动工，分为2A和2B，总规划月产能为10万片晶圆，2A于2024年正式投产，投产后仅用约两年时间，即达到其最大设计产能。目前2B也正在产能爬坡当中。 长江存储三期项目于2025年9月宣布正式动工（有消息称2024年8月就已经开始土地平整），该项目的公司主体——长存三期（武汉）集成电路有限责任公司（以下简称“长存三期”）成立于9月5日，注册资本207.2亿元。据《长江日报》报道，三期项目今年1月就已经开始安装洁净室，计划今年内建成投产。三期项目设计月产能为10万片，预计2027年可实现月产能5万片。 第三方机构的预测数据显示，长江存