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三星不玩通用DRAM了!长鑫存储成主要受益者:单季DRAM营收暴增99.3%

摘要

快科技9月24日消息,据报道, 三星电子正将DDR5内存模组与SSD的新增产能全部外包给合作伙伴,自身资源全面转向HBM等高价值产品。 三星位于天安、温阳的封装工厂空间正被重新调整为HBM先进封装产线,不再为通用内存模组扩充自有产能。 供给收缩的直接结果是通用DRAM价格与需求同步走高,长鑫存储成为主要的受益者。 据TrendForce集邦咨询数据, 长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146...

快科技9月24日消息 据报道 三星电子正将DDR5内存模组与SSD的新增产能全部外包给合作伙伴 自身资源全面转向HBM等高价值产品 三星位于天安 温阳的封装工厂空间正被重新调整为HBM先进封装产线 不再为通用内存模组扩充自有产能 供给收缩的直接结果是通用DRAM价格与需求同步走高 长鑫存储成为主要的受益者 据TrendForce集邦咨询数据
2026-09-24 1 阅读 约1分钟阅读 红茶
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快科技9月24日消息,据报道, 三星电子正将DDR5内存模组与SSD的新增产能全部外包给合作伙伴,自身资源全面转向HBM等高价值产品。 三星位于天安、温阳的封装工厂空间正被重新调整为HBM先进封装产线,不再为通用内存模组扩充自有产能。 供给收缩的直接结果是通用DRAM价格与需求同步走高,长鑫存储成为主要的受益者。 据TrendForce集邦咨询数据, 长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元(约合人民币982.64亿元),环比暴增99.3%,全球市占率从一季度的7.6%跃升至9.5%,位列全球第四。 长鑫存储的增速远高于市场整体水平。同期全球DRAM产业营收环比增长59.5%,长鑫以99.3%的环比增幅位列全球主要厂商之首。 其增长主要来自移动端LPDDR4X/5X产品的价格领涨,以及三星等原厂将产能转向HBM后留下的通用DRAM供给空缺。 技术上,长鑫存储G5平台已实现量产,内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米,每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%,同步量产两款24Gb LPDDR5X产品。 产能方面,国金证券数据显示,长鑫2025年底月产能约28万至29万片。SemiAnalysis预计,到2026年底将达约35万片,到2028年有望增至50万片。 需要指出的是,长鑫能否借这一窗口持续扩大份额,将取决于其产能爬坡速度与高端产品验证进度。
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