国产G5内存与三巨头对比：DUV多重曝光竞争力拉满 差距不到0.9nm

快科技9月22日消息，刚过去的周末长鑫科技发布了一个重要新闻，宣布自研的第五代内存平台G5量产了，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 与以往不同的是，长鑫这次还非常自信、大方地公布了G5代内存的技术规格， 托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米 ，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。 这个技术参数我们之前做过科普了，那么问题来了——长鑫G5内存跟三星、SK海力士、美光三巨头的最新产品相比如何呢？ 网友tphuang发了一张G5与其他三家的1b、1c等工艺的对比， 这两个命名是三星、SK海力士在用，美光用的则是希腊字母的α、β、 ，代数上是等价的，简单的关系可以看上图。 至于G5与其他三家厂商的工艺对比，这个图列的参数倒是很有趣——长鑫公布的很多参数，三大厂的参数没有，三大厂公布的很多参数，长鑫这边又没有，但还是能看个大概的。 这里面的核心指标是半间距，这是DRAM工艺断代的关键，长鑫做到了11.95nm， 这个数值卡在11到12nm之间，卡位可以说非常微妙了 ，因为12nm差不多会被认为是1b工艺，11.Xnm则会进入最新的1c工艺。 但是跟美光的1c/1γ工艺相比，这个11.95nm工艺又大了0.9nm左右，因此说G5比当前最先进的工艺落后半代甚至一代也没问题，长鑫自己的定位是接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 但是再看cell size这个指标，长鑫的G5大约是在0.00086到0.00111um2之间， 下限也是接近1c/1γ，上限也要比1b工艺少个10%左右。 如果说指标上的差距是数字多少的问题，那G5与三星、美光和海力士的最根本区别在于这三家在14nm节点之后已经转向了EUV光刻工艺，美光用的最少也有1层EUV光刻，三星海力士是4-6层，普遍在5层，而长鑫G5只有DUV光刻工艺的选择。 长鑫这次也没瞒着，直接说了他们用四重曝光， 也就是SQDP技术做到了G5内存技术的量产 ，其他技术还有HKMG、45：1深宽比刻蚀等。 DUV四重曝光不论是在内存工艺还是逻辑工艺上，技术已经不是最大问题，CPU工艺四重曝光上做到3nm都没问题，甚至有可能追到2nm级别，它的难点在于成本，曝光次数越多良率、产能就越低，生产出来的芯片就成本就高得很，没有竞争力。 然而内存市场现在给了长鑫用四重曝光量产G5内存最大的支持，那就是内存价格实在是太高了，毛利率随便就超过80-90%，这样的高利润率下用四重曝光都没问题，这也是长鑫表态G5在产品能效、成本控制上均具备显著优势的基础。 三巨头这一波将内存价格拉到了史无前例的地步，自己当然赚了让所有半导体厂商都嫉妒的超额利润， 但他们肯定想不到这给了中国内存厂商一个崛起的机会 ，以前欧美日韩都相信只要禁了EUV光刻机，中国厂商的芯片技术差距会落后到10年以上，不再有竞争力。 但他们没想到的是这一天会来得这么快，现在不能说长鑫一定能靠着G5内存改变市场格局，但只要内存价格这么持续下去，这几年内国内至少还有两三家可以量产内存的公司加入战场，过几年这个市场的杀价情况已经可想而知了。