国产存储双雄别内耗！长江、长鑫专利战警钟敲响：合作才是正道

快科技9月22日消息，据报道， 全球存储器持续严重缺货，AI及云端应用推升DRAM与NAND Flash需求急迫。中国两大存储巨头长江存储与长鑫存储，正从“兄弟登山”走向正面竞争。 长江存储跨入LPDDR5 DRAM领域，将于2026年底试产，初期规划约2.5万片DRAM产能，目标2027年完成产能爬坡，并规划后续HBM与3D DRAM研发。 长鑫存储则从DRAM反向切入NAND Flash，计划在北京新工厂建立NAND研发生产线，并已设立研究院，业界推测，最快2028至2029年量产。 长江存储的核心壁垒是独家Xtacking混合键合架构。资料显示，该技术已实现294层3D NAND量产，混合键合核心专利达远超三星和SK海力士。 更值得关注的是，三星电子已于2025年与长江存储达成专利许可协议，三星从第10代V-NAND开始获得长江存储混合键合技术的授权，足见该技术绕不开的专利壁垒。 长鑫存储在DRAM领域根基深厚。其已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，上半年主营业务毛利率升至84.84%，并已实现LPDDR6全球首发量产。 行业缺货正为中国厂商提供难得的窗口期。据TrendForce数据，2026年二季度DRAM合约价环比上涨58%至63%，NAND环比涨幅达70%至75%，下游客户被迫寻求国产替代。 业内人士指出，当前存储大缺货迫使许多系统厂转向中国寻求替代货源，这为两家企业打入国际大厂供应链提供了助攻。 此时若陷入专利内耗，反而可能错失窗口。 行业专家提醒，从各自的技术积淀到行业缺货带来的替代机遇，长江存储与长鑫存储面临的共同任务， 是如何在各自赛道持续突破，而非在专利战场上过早消耗彼此。合作，才是国产存储做大做强的正道。