预计三星 HBM4 和 HBM4E DRAM 产量将增加一倍以上

三星电子第 57 届年度股东大会于 3 月份在京畿道水原市灵通区水原会议中心举行，一名股东用智能手机摄像头拍摄第六代高带宽内存 (HBM4) 和第七代 HBM4E 芯片。韩联社消息，三星电子(005930)预计明年其HBM4系列高带宽存储芯片的产量将增加一倍以上，包括第六代HBM4和第七代HBM4E，因为该公司计划将玻璃载体的需求较今年提高2.5倍。玻璃载体是在 HBM DRAM 减薄时将晶圆固定到位的玻璃支架。据半导体行业消息人士 20 日透露，三星将把 HBM 生产中必不可少的材料玻璃载体的外包清洁量从今年的每月 2 万片增加到明年的每月 5 万片。就在去年，玻璃载体的需求量还达到每月 10,000 片，今年翻了一番，明年将增长 2.5 倍。玻璃载体是临时附着在 HBM DRAM 晶圆下侧的支撑物，以防止晶圆磨薄和钻孔时弯曲或破裂。由于 HBM 需要在有限的厚度内堆叠多个 DRAM 芯片，因此随着堆叠数量的增加，晶圆减薄技术和控制翘曲的工艺变得更加重要。三星正准备将 HBM​​4 和 HBM4E 产品扩展到 12 层及更高堆栈上。行业分析师表示，即使考虑到玻璃载体在清洁后重复使用以及消耗量因工艺装载方法和产量而异的事实，相关数量增加2.5倍，使得HBM4和HBM4E产量很可能比今年增长至少两倍。今年 2 月，三星开始批量生产 HBM4，该 HBM4 采用 10 纳米级第六代 (1c) DRAM 和基于 4 纳米工艺构建的基础芯片。 5月，还向包括Nvidia在内的客户提供了12层HBM4E样品。业界预计，以月平均晶圆投入量衡量，三星HBM生产规模明年将从今年约18万片晶圆增长近40%，达到约25万片晶圆。从产品出货量来看，随着 HBM4E 量产的增加，HBM4 系列预计将从今年的 40% 左右上升到明年的 80% 左右。一位行业官员表示：“随着三星扩大 HBM 生产，它似乎将高价值产品 HBM4 置于中心位置。”今年 2 月，在三星电子位于忠清南道的天安园区，第六代高带宽内存 (HBM4) 产品被装上卡车进行批量生产。三星电子