一图看懂5大内存巨头路线图：长鑫率先量产4F2、3DRAM是终局

快科技11月12日消息，AI发展这几年来，前几年都在讨论缺GPU算力芯片，这一年来内存成为关键，疯狂涨价5-10倍还各种缺货，科技巨头都头疼不止。 内存产能紧张有多个原因影响， 主要推动力是AI所需的HBM内存会占据至少3倍通用内存的的产能， 但这个原因不足以解释涨价10倍的事，说到底还是全球内存生产的垄断格局导致的。 尔必达、奇梦达等公司倒闭之后，全球内存市场格局长期是三足鼎立——三星、SK海力士及美光，他们之前高峰期能占全球95%的市场份额，之前的第四大内存芯片公司华亚科被美光收购了，Nanya成为新的第四。 不过长鑫科技这一年来迅速崛起，Q3季度份额已经到了9%，成为新的第四，南亚的产能占比不够看，但他们也计划大举投资内存，开始进入高端市场，甚至计划用EUV量产内存。 这五家公司的产品布局会影响大家未来选购内存的决定，韩国证券公司做了一个下一代DRAM内存产品路线图，原文是韩文的，让AI做成了中文版的，如下所示： 在内存技术路线上，当前的是6F2结构，是否转向4F2结构成为几家厂商的分歧，而转向4F2结构又要涉及晶体管结构的改变， 会有VCT垂直沟道晶体管、VG垂直栅、VSG垂直环栅等几种构型。 具体来看，三星今年开发了10a工艺（严重怀疑原文写错，应该是10c还差不多），明年验证，2028年量产，10a到10c工艺都是VCT晶体管结构，10d时代会转向3DRAM。 三星也研究4F2结构多年了，也开发出了试验核心，不过他们是把4F2当作转向3DRAM的过渡。 SK海力士也是从4F2 VG转向3DRAM，期间也会有晶圆键合工艺推进。 美光是几家巨头中唯一明确不上4F2结构的，继续打磨6F2结构，期间也会有键合工艺，后续一步步推向3DRAM。 长鑫虽然研发4F2结构比三巨头要晚，但他们是最积极转向的， 也是第一个要正式量产4F2结构的， 今年底就会有产品，而且会继续打磨DUV工艺的多重图案技术，弥补EUV的缺失。 南亚是几家中技术最弱的，也只会继续打磨6F2结构，明年Q1验证1c工艺（感觉这个有点高估他们了），后续还会有EUV工艺的内存开发。 总体来看，内存厂商中对4F2结构是有分歧的，美光明确不用，三星、SK海力士会做为过渡，长鑫科技则是主推4F2，在技术方向选择上走出了自己的路， 也是内存技术首次由三巨头之外定了一个方向， 最近这事在国外热议挺多，日韩对长鑫的决定还是蛮破防的，生怕技术方向被长鑫走对了，自己这边最后不得不跟。 这就好比当年J20飞机用了鸭翼设计，美国网友当年的嘲讽声好大，结果自家的F47最后跟风J20了，当年的嘲讽现在看起来是多么滑稽。 回到内存方向上来，不论对4F2的态度如何，内存技术的终局还得是3DRAM，类似当年NAND闪存从平面转向立体堆栈一样，这其中还有各种键合技术的应用，就看哪家会在这个过程中脱颖而出了，可能是未来内存格局的一次洗牌。