不买EUV光刻机就等倒闭！存储大厂豪掷992亿元抢设备：剑指10nm以下DRAM

快科技11月11日消息，在ASML发出极紫外光刻设备供应短缺预警的背景下，全球头部存储厂商正积极锁定设备交付。 据报道，存储巨头三星电子动作尤为激进，向ASML订购EUV光刻设备的投资规模上限预计将达到20万亿韩元（快科技注：约合人民币992亿元）。 这场巨额投资的底层逻辑，是先进存储芯片制程微缩已逼近物理极限。当DRAM推进到1β及以下节点时，电路间距缩至十几纳米，传统深紫外光刻必须依赖多次曝光来拼凑图形，导致叠对误差不断累积。 在字线与位线间距逼近极限时，如果继续硬撑，将直接导致良率无法满足量产要求。对于追求先进制程的巨头而言， 拿不到EUV设备，就意味着在下一代存储竞赛中面临出局的危险。EUV的13.5纳米波长能在单次曝光中定义细微图形，是维持先进节点可制造性的唯一出路。 在产能布局上，三星正全力推进平泽P4工厂的升级，计划增设HBM4单晶DRAM产线。同时，平泽P5工厂扩建稳步推进，首座晶圆厂预计2028年投产，目前已提前订购光刻设备，待2027年上半年洁净室完工即可进场。 此外，三星意图通过高数值孔径极紫外光刻技术拉开技术代差。 三星计划2027年量产1D DRAM，2028年迈入10纳米以下的0a DRAM阶段， 届时将引入该技术。为平衡成本与良率，三星正评估仅在一到两层关键工艺中使用该设备。