华邦电子规划引入EUV设备 目标2030年落地14nm DRAM

华邦电子规划引入EUV设备 目标2030年落地14nm DRAM 2026-11-11 16:38:49 出处：快科技 作者： 鹿角 编辑：鹿角 评论 () 复制 纠错 快科技11月11日消息，据TrendForce报道， 华邦电子正在积极推进其DRAM和NOR Flash技术路线图，计划引入EUV光刻技术。 华邦电子总经理陈沛铭透露， 目前正在开发两代14nm DRAM工艺，是否采用EUV光刻技术是两者的主要区别之一，加入EUV的产品目标2030年推出。 陈沛铭表示，EUV可以减少生产步骤，从而缩短加工时间，并提高良品率。华邦电子与ASML在EUV方面展开合作已有三年半，正派遣员工赴ASML接受培训，为后续引入EUV光刻技术做好准备。 ASML承诺首个EUV光刻系统交付时间大概在两年内，后续系统根据当前交货周期预计需要等三年半。 更长的设备交货周期也影响了华邦电子的扩张计划。陈沛铭称，部分设备交货时间已经超过两年，使得华邦电子不得不提前很长时间下单。 华邦电子计划今年12月开始在中国台湾高雄建造新工厂，预计2029年投入运营，2030年实现大规模生产。 【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技 责任编辑：鹿角 文章内容举报