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三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产
摘要
IT之家 9 月 8 日消息，ASML 今日在 SPIE 前夕宣布了与三大先进制程企业的合作， 各方将共同推动 High NA EUV 光刻图案化系统从传统 6 英寸掩膜 / 光罩过渡至 12 英寸掩膜 ，以提升机台生产效率、降低制造成本，化解当前方案存在的“半场”拼接问题。 而在合作新闻稿中，三星电子确认计划在 2028 年将 High NA EUV 技术用于先进 DRAM 内存的大规模生产，台...
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EUV
英寸掩膜
2031
IT之家
日消息
ASML
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SPIE
前夕宣布了与三大先进制程企业的合作
2026-09-08
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IT之家
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IT之家 9 月 8 日消息，ASML 今日在 SPIE 前夕宣布了与三大先进制程企业的合作， 各方将共同推动 High NA EUV 光刻图案化系统从传统 6 英寸掩膜 / 光罩过渡至 12 英寸掩膜 ，以提升机台生产效率、降低制造成本，化解当前方案存在的“半场”拼接问题。 而在合作新闻稿中，三星电子确认计划在 2028 年将 High NA EUV 技术用于先进 DRAM 内存的大规模生产，台积电则计划从 2031 年开始向先进逻辑制程量产中导入 High NA EUV。 各方计划在 2031 年前建设 12 英寸掩膜试点线，为其于 2033 年在 High NA EUV 先进制程中投产做好准备。 相关阅读： 《 High-NA EUV 光刻导致单芯片最大面积减半，imec、英特尔各想办法 》
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