英飞凌凭借 300mm 功率碳化硅晶圆标志着创新里程碑

英飞凌推出业界首个采用 300 毫米碳化硅晶圆加工的功能性功率器件 技术突破凸显了英飞凌在功率半导体和宽带隙技术方面的创新实力和领导地位 300 毫米碳化硅工艺可行性为向汽车、可再生能源、工业和人工智能数据中心应用领域的客户提供安全、面向未来的碳化硅奠定了基础 英飞凌将在 11 月 10 日开始的电子贸易展上向公众展示首款加工后的 300 毫米碳化硅晶圆2026 年德国慕尼黑 – 2026 年 11 月 9 日 – 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）在其位于奥地利菲拉赫的工厂成功将 300 毫米碳化硅晶圆加工成功能功率器件。英飞凌是第一家在全规模半导体晶圆厂环境中开创这一创新里程碑的公司。它是通过利用现有的硅（Si）制造设备来实现的。功能功率器件的这一早期成果体现了英飞凌致力于为客户提供全面的高性能 SiC 功率半导体产品组合并确保长期供应。 300 毫米晶圆上的芯片生产在技术上比 200 毫米晶圆更先进，效率也明显更高，因为更大的晶圆直径每晶圆可生产的芯片数是原来的 2.3 倍。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“这一技术里程碑进一步加强了我们在电力系统领域的领导地位。祝贺并感谢我们热情的团队，在将 300 毫米碳化硅从实验室引入制造环境方面取得了重大进展。” “功率半导体领域的领先地位意味着不断将技术推向新的水平。凭借硅、氮化镓以及现在的碳化硅 300 毫米晶圆，我们在扩大半导体制造规模和推动盈利增长方面处于领先地位。”这一里程碑展示了未来 300 毫米晶圆上 SiC 全面产业化的潜力。英飞凌将与客户和合作伙伴密切合作，规划 300 毫米 SiC 技术和产能提升时间，同时进一步执行其 200 毫米 SiC 制造路线图。先进的碳化硅功率技术为英飞凌客户提供了面向汽车、可再生能源、工业和人工智能数据中心应用的经济高效且安全的供应基础。 SiC 是高效功率转换的关键半导体材料。其材料特性可实现更低的功率损耗、更高的功率密度以及在高电压和高温下的高效运行，例如在牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电器、大规模储能和工业驱动器以及不间断电源中。随着 SiC 在固态变压器、断路器和电源装置中发挥新作用，人工智能数据中心的需求也在不断增长。英飞凌通过广泛的 CoolSiC™ 产品组合来满足这些应用的需求。与此同时，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂成功证明了其采用 300 毫米 SiC 的冷分裂技术的可行性。与传统线锯相比，冷分割将晶圆从 SiC 晶锭中分离出来，材料损失更少，加工时间也大大缩短，因此可以从相同的晶体中获得更多的晶圆，而资本支出却更少。这两项开发都使英飞凌能够根据市场需求扩展 SiC 技术并满足客户不断变化的需求。英飞凌生产基于所有三种相关材料的半导体：硅、碳化硅和氮化镓。 2026 年 10 月 27 日，该公司宣布投资约 11 亿欧元，在菲拉赫建设一座 300 毫米晶圆 GaN 功率半导体大批量制造工厂。这一 SiC 成就将这种方法扩展到第二种宽带隙材料，并巩固了英飞凌作为半导体制造领域创新领导者的地位。英飞凌在 2026 年慕尼黑电子展上英飞凌将在慕尼黑电子展上向公众展示全球首款经过加工的 300 毫米碳化硅晶圆。 11 月 10 日至 13 日，英飞凌将在 C3 展厅 502 号展位展示面向日益智能和互联的世界的创新和节能解决方案。更多信息请访问 www.infineon.com/Electronica。英飞凌科技股份公司是电力系统和物联网领域的全球半导体领导者。英飞凌通过其产品和解决方案推动脱碳和数字化。该公司在全球拥有约 57,000 名员工（截至 2025 年 9 月），2025 财年（截至 2025 年 9 月 30 日）收入约 147 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），并在美国 OTCQX 国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。