行业竞争压力加剧 铠侠另辟蹊径：推动NAND替代部分DRAM

快科技9月4日消息，铠侠近日公布了一项战略规划， 通过增强型NAND闪存技术替代部分DRAM功能，以深化与美国主要科技公司的合作，并应对竞争对手带来的市场压力。 铠侠存储技术负责人松寺胜树（Katsuki Matsudera）表示：“闪存需求正以前所未有的速度增长。”公司同时展出了专为AI工作负载设计的CXL（Compute Express Link）模块，该产品可大幅提升NAND闪存的数据处理速度，目前正处于客户评估阶段。 AI服务器通常配备多种内存类型：DRAM用于临时数据存储，读取速度优于NAND闪存，并与CPU协同完成计算。 然而，DRAM容量扩展困难，难以满足AI需求的快速增长，且成本远高于用于长期存储的NAND闪存，这在一定程度上制约了AI数据中心的普及。 铠侠的CXL模块旨在弥补DRAM的不足。 该模块将高速NAND闪存与专用控制器结合，可将数据读取延迟降至传统NAND产品的十分之一以下，使性能接近DRAM水平。 据铠侠介绍，在系统中以CXL模块替换部分DRAM，可使内存容量翻倍，整体性能提升约30%。 此外， 铠侠还展示了面向AI场景的新型固态硬盘（SSD）产品，计划于2028年开始提供读写性能增强版的样品。 该SSD将连接英伟达GPU，与传统的堆叠式DRAM高带宽内存（HBM）形成互补，满足AI推理等新兴应用需求。 根据美国研究机构Gartner预测，全球内存市场规模到2026年将达8373亿美元，较上年增长3.8倍，AI驱动的需求正在快速扩容整个市场。 当前，铠侠主要专注于NAND闪存，而三星、SK海力士和美光等竞争对手同时覆盖NAND和DRAM业务，产品线更为多元。 通过推出DRAM替代方案，铠侠希望在NAND之外抢占部分DRAM需求，以稳定盈利结构，降低市场波动带来的风险。