三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍

快科技9月2日消息，在SEMICON Taiwan 2026展前峰会“Memory Executive Summit”上， 三星正式公布了新一代3D存储器战略框架——CUBE，并同步展示了HBM5、zHBM及zNAND-O的技术路线图。这一系列布局标志着三星正以架构级创新为核心，全面争夺AI时代的存储器市场主导权。 CUBE是三星下一代3D内存战略的核心框架， 四个字母分别代表：Capacity（容量）、Utilization（利用率）、Bandwidth（带宽）、Efficiency（能效）。 这四大指标精准对应了AI时代存储器所面临的四大核心矛盾：如何在有限空间内提升容量、提高利用效率、扩展带宽，同时降低功耗。CUBE战略的提出，意味着三星正从单纯追求性能参数，转向系统级的协同优化思路。 作为传统HBM路线的延续，三星计划将下一代HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，同时每瓦性能提高20%，热阻降低20%。 这一升级路径保持了对现有架构的兼容性，重点在于提升数据传输效率与能效比，以满足大模型训练对内存带宽的持续渴求。 如果说HBM5是HBM路线的延续，那么zHBM则可能代表一次架构级跃迁。传统HBM与GPU并列放置，通过先进封装实现高速互联；而zHBM则尝试将HBM直接堆叠在GPU上方，从根本上改变信号传输路径与散热结构。 三星为zHBM设定的性能目标极具挑战性：性能达到HBM4E的约8倍，每瓦性能达HBM4E的约3倍，热阻降低75%–90% 这一路线若能顺利落地，将极大缓解AI加速器在带宽、功耗和散热方面的三重瓶颈，为超大规模模型训练提供全新的内存架构底座。 针对大语言模型（LLM）对超大规模存储的刚性需求， 三星同步推进zNAND-O的开发。该技术旨在实现比特密度达到DRAM的10倍，同时将读取带宽和能效分别提升至传统NAND的7倍。 三星计划于2028年启动zNAND-O样品供应，为未来AI数据中心提供更高密度、更高效能的存储选择。