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最赚钱的一层被老黄抢走了!英伟达NVHBM让三星、SK海力士从供应商变代工厂

2026-09-01 1 阅读 约2分钟阅读 红茶
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快科技9月1日消息,英伟达近日在Hot Chips 2026上正式发布了NVHBM定制高带宽内存技术。这项技术将内存控制器从XPU主芯片转移到HBM堆栈底部的基片(Base Die)中。 看似只是“搬家”,背后却是一场针对三星、SK海力士、美光三大内存巨头价值链的精准狙击。有分析指出, HBM基片的制造成本是普通DRAM核心的3到4倍,而NVHBM正是英伟达攫取这部分价值的关键一招。 传统HBM中,基片仅负责高速接口连接,内存控制器占据XPU主芯片宝贵的计算面积。 NVHBM将控制器集成进基片后,主芯片可释放高达25%的面积用于计算单元。单堆栈带宽比标准HBM4E提升30%,功耗降低15%,PHY和支持面积缩小67%。 但更关键的变化在于价值链的重新分配。传统架构下,三大厂凭借基片和DRAM核心的整合供应掌握议价权。NVHBM打破了这一格局,英伟达自行设计基片中的控制器与接口,三大厂仅按规格制造。 定价权从内存供应商转移到了控制器的设计者手中。 亚马逊旗下Annapurna Labs已率先采用NVHBM,用于Trainium4 AI芯片。联发科在五天之内便采纳了NVLink Fusion方案,并获得英伟达35亿美元资金支持。 需要提醒的是,HBM4E尚未正式出货,NVHBM对标的是一个还未量产的基准,实测性能有待验证。 但英伟达的目标很清晰:通过掌控基片层,在客户不打算自研计算Die(芯片裸片)的前提下,将内存子系统的价值锁定在自己手中。 三大厂仍在生产DRAM核心,但最赚钱的那一层,已归英伟达所有。
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