消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM：17~18Gbps 高速设计

IT之家 8 月 31 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间 28 日报道称，三星电子正为 NVIDIA（英伟达）开发一款定制的 HBM 内存产品。 其采用 8 层低堆叠设计 ， 同时支持 17~18Gbps 的高引脚速率 。 IT之家注： 原文同时称其为 HBM4E 和 NVHBM。但从 NVIDIA 的表述 上来看，NVHBM 和标准 HBM4E 必然采用有差异的基础裸片 (Base Die) 设计，而 DRAM Die 是否能相同也有待考察。 三星电子 此前出样的 HBM4E 内存 支持至高 16Gbps 的引脚速率。 从技术上来看，低堆叠设计可减少 DRAM Die 用量、提升生产良率，从而压低制造成本、提升出货规模；而更高的速率能进一步化解 AI 加速器存在的“内存墙”问题，提升实际吞吐量。 对于三星电子而言，其同时经营存储器与晶圆代工业务，拥有全流程定制 HBM 开发能力，在 Base Die 的设计调整、Base Die 与 DRAM Die 的适配等上存在天然的优势。 相关阅读： 《 消息称英伟达调整 HBM4 内存需求，8Hi 低堆叠占比提升 》