大摩警告内存涨价情况仍然激进 Q3成熟制程DRAM可能涨价50%

第三季度的全球内存涨价情况仍然严重。根据摩根士丹利的最新预测， 2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。 摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。 而新型DDR5芯片的零售价格也丝毫没有降温的迹象，据美国银行的数据，8月， DDR5-5600/6400 24GB的现货价格环比上涨了8%，同比涨幅高达483%。 大摩还强调，SLC NAND闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨50%。 供应端的问题 HBM消耗的硅晶圆数量大约是传统DRAM的三倍。这是因为其垂直堆叠的层结构，且由于每颗裸片都要内置成千上万个硅通孔 (TSV) 以及相应的禁布区，大大降低了有效存储阵列面积。 与此同时，人工智能行业对HBM的需求还在不断增长。瑞银最近预测， 到2027年，仅英伟达一家就将消耗约251亿GB的HBM，而整个行业需求总量约为615亿GB。 这种情况下，DDR4、SLC NAND和NOR Flash的新增供应非常有限。摩根士丹利指出，这导致成熟内存的长期合同较少，这实际上可能使供应商在短期拥有更大的定价权。 大摩因此上调了旺宏电子、华邦电子、力积电以及兆易创新的盈利预期，而台湾爱普科技仍然是大摩的首选股。