美国对华存储禁令自己先怂了！低温刻蚀条款被悄然删除长鑫表示影响不大

摘要

快科技8月12日消息据报道硬件技术管制多边协调法案 MATCH Act 在修订过程中已悄然删除一项针对中国市场的低温刻蚀设备全国性禁令该设备由美国泛林半导体与日本东京电子主导供应是3D NAND闪存和先进DRAM制造的关键工序

2026-08-12 1 阅读约1分钟阅读红茶

快科技8月12日消息，据报道，近日，美国《硬件技术管制多边协调法案》（MATCH Act）在修订过程中，已悄然删除一项针对中国市场的低温刻蚀设备全国性禁令。该设备由美国泛林半导体与日本东京电子主导供应，是3D NAND闪存和先进DRAM制造的关键工序。此举被外界解读为设备巨头游说下的妥协。对于这一变化，长鑫存储等中国半导体企业表现淡定。中国企业正在淡化美国出口管制的实际冲击。这种底气来自实打实的市场数据。据Omdia统计，长鑫存储全球DRAM市场份额已从2025年四季度的4.7%跃升至2026年一季度的7.6%，跃居全球第四。营收也创下新高，2025财年收入达86亿美元。苹果的动向则是另一个风向标。公开资料显示，苹果正在iPhone和MacBook等多条产品线中测试长鑫存储的DRAM芯片。然而，苹果曾试图压低采购价格，但是遭到长鑫存储的断然拒绝。长鑫存储坚持报价不低于三星电子和SK海力士，原因是华为、小米等本土企业已通过长期合同锁定了其产能。在NAND闪存领域，长江存储同样在制裁中稳步前进。其232层3D NAND芯片已实现稳定量产，部分产品在性能参数上已追平国际头部企业。

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