消息称三星电子 HBM4 良率已接近 80%，产能爬坡加速

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HBM4 DRAM HBM IT之家日消息首尔经济日报当地时间日援引消息人士的话报道称三星电子在内存上的良率已接近

2026-08-10 1 阅读约1分钟阅读 IT之家

IT之家 8 月 10 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间 9 日援引消息人士的话报道称，三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80% ，即将达成原定 2026 年底实现的目标；更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。业内消息源称，三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右，远不能达到 DRAM 行业大规模商业化所需水平，这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。而随着良率的持续增长，该企业已确保能在 HBM4 上收获丰厚的回报，自然愿意将更多 DRAM 晶圆产能分配到 HBM4 上来。有消息称，三星电子计划将本季度的 HBM4 销售额扩大到上季度的 3 倍以上，最终将其在下半年整体 HBM 中的营收占比扩展到 60+%，并在年底前获得与整体 DRAM 市场份额相当的 HBM 市占。

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