铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s

摘要

QLC NAND 闪存技术 CMOS Wafer IT之家日消息铠侠株式会社今天宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元新产品相比双方第八代技术实现最高

2026-08-05 1 阅读约1分钟阅读 IT之家

IT之家 8 月 4 日消息，铠侠株式会社今天宣布与闪迪公司共同推出下一代四层单元（QLC）3D 闪存技术。新产品相比双方第八代技术，实现最高 60% 位密度提升（超 37Gb / mm²）。据介绍，第十代 QLC NAND 闪存采用了双方自主研发的 CMOS 直接键合阵列（CBA）技术，可在不同的晶圆上制造 CMOS 逻辑电路、存储阵列，随后通过高精度晶圆对晶圆（IT之家注：Wafer-to-Wafer）技术进行键合。相比第八代 3D 闪存，新一代产品进一步提升了读写带宽，成为业界首款接口速率达到 4.8Gb/s 的 QLC 3D NAND 闪存技术。此外，铠侠和闪迪的第十代 QLC 3D 闪存采用 332 层 NAND 堆叠技术，并通过 Toggle DDR6.0、独立命令地址协议（SCA）提升 60% 位密度。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。

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