2D 材料晶体管告别实验室：imec 联手台积电、ASML 实现 50nm 栅距 300mm 晶圆验证

IT之家 6 月 19 日消息，比利时微电子研究中心（imec）联合 ASML 和台积电宣布，在一片 300mm 晶圆上成功集成采用原子级二维（2D）材料沟道的 n 型和 p 型互补晶体管，并实现 50nm 接触栅极间距（Contacted Poly Pitch，CPP，从一个晶体管到另一个晶体管的距离）。 研究团队表示，这是首次在标准 300mm 晶圆工艺上实现如此高密度的二维 CMOS 集成，进一步推动二维半导体迈向后硅时代逻辑芯片应用。 据介绍，这是迄今为止二维互补器件已公开实现的最小间距，已经进入到当前主流硅工艺的范畴。作为参考，英特尔 10nm 级节点的接触栅间距为 54nm。 这项成果于本周举行的 IEEE / JSAP VLSI Technology and Circuits Symposium（超大规模集成电路技术与电路研讨会）上公布。 研究团队采用单次极紫外光刻（EUV）曝光，实现最短 28nm 沟道长度。imec 表示，晶圆上有 94% 的集成晶体管能够正常开关，开关电流比（On / Off Ratio）超过 10 万。其中，n 型晶体管采用二硫化钼（MoS₂）作为沟道材料，p 型晶体管则采用二硒化钨（WSe₂）或二硫化钨（WS₂）。这些材料厚度仅为原子级别，使栅极对沟道的控制力远强于数纳米厚的硅纳米片，在栅极长度持续缩小的过程中，有望在更低电压下完成开关动作。 二维过渡金属二硫属化合物（TMD）已研究多年，imec 自 2010 年代后期便开始制造基于 MoS₂ 的实验性晶体管。本次成果的突破并非来自新材料，而是在标准 300mm 晶圆制造流程中，同时完成 n 型与 p 型二维晶体管集成，而不是像以往那样仅制造单一器件或采用较宽松的光刻间距。 研究人员介绍，此次演示的二维晶体管最小有源宽度达到 75nm，等效氧化层厚度接近 2nm，两种极性的器件均可在栅极电压为零时完全关闭。其中，WSe₂ p 型晶体管性能已接近目前实验室最佳水平，进一步缩小了二维 CMOS 中长期存在的 p 型器件性能差距。 长期以来，接触电阻一直是二维晶体管迈向微缩化的头号障碍。由于二维沟道极薄，沟道本身承载电流能力有限，而金属触点与二维薄膜之间的界面往往会形成较高的肖特基势垒，从而进一步限制电流。为降低接触电阻，过往实验室器件多以保持大接触面积来弥补，但这反过来又堵死了间距缩小的空间，可谓是“一根筋两头堵”。 为了跳出这一困境，联合团队将常规制造顺序倒了过来：先在预定位置做出钨填充的接触沟槽，再把二维沟道材料转移至其上，最后沉积栅极。 imec 将这一工艺称为“反向薄膜晶体管（reverse thin-film transistor）”，并表示底部接触结构有助于实现更好的关断特性，使 n 型和 p 型晶体管在栅极电压为零时均能完全截止。 imec 计算与存储器件研发副总裁 Gouri Sankar Kar 表示，“我们首次在不影响二维 n 型和 p 型 FET 性能的前提下，实现了 50 纳米 CPP—— 这一指标同时由栅极长度和源漏接触长度决定。”他同时表示，此次采用的单次 EUV 光刻工艺由 imec 与 ASML 联合开发完成。 研究团队指出，这里所使用的仅为标准 0.33 数值孔径的 EUV 光刻机，无需 High-NA EUV 或多重曝光，28nm 沟道长度和 50nm 间距完全在其分辨率范围内。 ASML 方面则表示，此前一些 300mm 晶圆上的二维晶体管演示之所以沟道长度较大，正是因为依赖了更老的光刻技术，而 EUV 的分辨率优势直接促成了沟道长度的缩减。 近年来，多家机构持续推进二维半导体研究。英特尔此前也曾与 imec 合作开展 300mm 晶圆二维材料研究，三星则展示了单晶 MoS₂ 晶圆级生长技术。与此同时，高校研究团队已实现接近 1nm 节点栅极间距的单层 MoS₂ 晶体管。此次 imec、ASML 与台积电的成果首次将互补 n 型和 p 型集成、单次 EUV 光刻以及 300mm 晶圆标准工艺结合在一起，并实现接近先进硅工艺节点的晶体管间距。 根据 imec 与国际器件与系统路线图（IRDS）的规划，二维半导体沟道被认为是互补场效应晶体管（CFET，3D 堆叠）之后的重要发展方向。相比厚度数纳米的硅纳米片，厚度不足 1nm 的二维沟道能够获得更强的栅极控制能力，从而支持更低工作电压和更小尺寸的晶体管。 imec 预计 CFET 有望于 2033 年左右出现，二维半导体沟道则可能接近 2041 年进入应用；IRDS 路线图则预计二维沟道最快可于 2034 年、约 0.7nm 节点进入产业化阶段。 IT之家提醒，按照目前产业路线图，二维半导体真正进入高性能逻辑芯片量产预计仍需较长时间，初期更可能首先应用于晶圆背面器件或后端工艺，但此次成果已证明二维互补晶体管能够在先进制造间距下完成集成，后续工作的重点将更多转向制造工艺本身。 相关阅读： 《 从 GAA 到 3D 堆叠式 FET：三星展示业界最小 42nm 栅距 3D 堆叠晶体管，理论密度翻倍 》 《 英特尔最新技术展示：通过将 3D 堆叠 CMOS 晶体管与背面供电和背面触点相结合首次在 60nm 栅距下实现 CFET 》