钻石之后，英伟达又带火了陶瓷

文 | 字母AI 说一件你可能不太相信的事情，陶瓷，正在被AI带火。 过去提到陶瓷，你最先想到的应该是马桶和瓷砖。 但是最近，A股的陶瓷概念股暴涨。 陶瓷已经开始和英伟达、GPU、光模块、半导体设备这些AI新贵们绑在一起了。 如今陶瓷能成为AI概念股，主要依靠的是下面这三条线： 第一条是MLCC。它是电路板上的小型被动元件，作用是稳定芯片供电。AI服务器功耗越来越高，芯片周围就需要更多这种元件。 第二条是陶瓷基板和封装材料。芯片越热，越需要能同时导热和绝缘的材料。金属导热好但导电，塑料绝缘但扛不住高温，于是高端陶瓷材料需求量迅速暴涨。 第三条是半导体制造设备里也需要更多的先进陶瓷部件。比如晶圆厂的刻蚀机、沉积设备，陶瓷是为数不多能扛得住那种生产环境的材料。 那么具体又是怎么回事呢？ MLCC MLCC，全称多层陶瓷电容器，是采用陶瓷介质与金属电极交替叠层、经高温共烧而成的微型被动元件。它的作用，是保证高功耗芯片能稳定运行。 芯片瞬间拉电流时，电压会波动，MLCC负责去耦、滤波、稳压，帮助电源更稳定。 MLCC是电路板上的基础被动元件，因此有个外号，叫做“电子工业的大米”。 过去MLCC确实像大米一样，便宜、大量、不起眼。但GPU火了以后，MLCC也从普通的大米，摇身一变成为了康熙御田胭脂米（红楼梦里面贾母的红稻米）。 核心原因是功耗。 传统服务器功耗约2000W，搭载英伟达GPU的AI服务器功耗可达1万W，是传统服务器的5倍。GPU、CPU、HBM、NVSwitch、电源模块都要在高频、高功耗下运行。 AI服务器里的GPU功耗越来越高，芯片周围需要更多性能更好的MLCC来稳定供电。英伟达新平台还增加了DPU和高速网络模块，这些模块同样需要大量高端MLCC。 结果就是，每块计算板、交换机板上用的MLCC数量更多、规格更高，成本也明显上升。等到这些板卡被装进整机架服务器里，需求就被进一步放大了。 普通服务器约2000-3000颗MLCC，AI服务器则是另一个量级。英伟达GB300单机约3万颗，是普通服务器的10倍以上，是手机的30倍。单个AI机柜NVL72消耗约44万颗。 2026年5月，摩根士丹利发布的拆解报告显示，英伟达Rubin平台VR200 NVL72，单机柜MLCC用量从GB300的48万颗升至60万颗，增长25%。 更关键的是，每台机架上面MLCC的价格，也从1530美元飙升到了4320美元，暴增182%。 而且这种增长还是一个长期现象。 中金公司预测，2026、2027年AI服务器MLCC需求量将分别增长87%和88%。村田制作所预测，2025年至2030年，AI服务器用MLCC市场年复合增长率将达到30%，市场规模将增长3.3倍。 全球AI用MLCC市场规模已达52.66亿美元，预计2032年将攀升至169.2亿美元。 全球MLCC市场高度集中，日本村田制作所市场份额31%-32%，韩国三星电机22%-23%，日本太阳诱电约10%。三家合计占据全球67%的市场份额。 在高端AI服务器MLCC领域，村田一家独大，市占率约70%。 国内企业风华高科、三环集团等在高端市场份额不足10%。 2025年以来，村田、三星电机、太阳诱电等厂商集体涨价。2026年4月，村田针对AI服务器和高端车规级MLCC产品全面涨价，涨幅介于15%至35%之间，新价格体系于4月1日正式生效。 三星电机4月起全线涨价10%-20%，天津工厂满载，暂停低价新单。太阳诱电宣布MLCC全线产品将于5月1日起进行价格调整。 然而，村田、三星电机的MLCC整体产能利用率已达90%-95%，高端高容产品已经处于满产状态。订单量是现有产能的2倍，交期20周以上。 MLCC产线建设周期约18-24个月，高端产品还需额外1-2年的客户认证周期，短期无法快速增加供给。村田2025-2026资本开支3500亿日元以上，仍然满足不了需求。 但是相对的，中低端产线无法升级做高端。设备、工艺、材料体系完全不同，高端产线也没办法下沉。 村田数据显示，其2026年服务器相关MLCC销售额预计同比增长85%-90%。三星电机凭借博迁新材120nm、80nm、60nm等优质材料供应，在AI服务器领域MLCC全球份额已达45%以上，并在菲律宾等地持续扩充产能。 国产MLCC公司里，风华高科、三环集团更偏民用和规模化替代；鸿远电子、火炬电子、振华科技更偏军工高可靠；达利凯普则切在射频微波MLCC这个高端细分市场。国瓷材料、洁美科技、博迁新材是MLCC上游材料和耗材环节。 陶瓷基板 高功率芯片需要材料同时满足几个矛盾条件：要导热，快速散发芯片产生的热量；要绝缘，防止电路短路；要耐高温，承受芯片运行时的高温环境；要可靠，长期稳定工作不失效。 传统材料很难同时满足。 金属导热好但导电，无法满足绝缘要求。普通塑料绝缘但耐热和导热性能不够。 唯有先进陶瓷材料。氮化铝（AlN）、氧化铝（Al₂O₃）、氮化硅（Si₃N₄）等高端陶瓷材料，能够同时满足导热、绝缘、耐高温、高可靠性等多重要求。 氮化铝导热系数约200 W/(m·K)，氮化硅导热系数可达300 W/(m·K)，同时具备优异的电绝缘性能和热膨胀系数匹配性。陶瓷基板可以在保持电绝缘的前提下，快速将芯片热量传导出去。 陶瓷基板同样也不是什么新技术，过去陶瓷基板主要用于功率半导体、激光器件等特定场景，市场规模有限。但是现在不一样了，陶瓷基板成为了“AI新贵”。 工艺路线主要有三种：AMB(Active Metal Brazing，活性金属钎焊）、DPC(Direct Plated Copper，直接镀铜）、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic，高温共烧陶瓷）。 AI服务器散热基板、HBM先进封装、1.6T/3.2T高速光模块封装、功率半导体封装、激光器件封装，都在大量使用陶瓷基板。 AI服务器对被动元件需求量超过普通服务器1倍以上，GB300机柜MLCC用量较GB200增长近10倍。三环集团针对数据中心48V电源系统推出了多规格高容产品，满足高密度供电需求。随着代际升级，单机MLCC用量呈倍数增长。 芯片功耗越高，散热要求越严格，对基板材料的导热、绝缘、可靠性要求越高。传统有机基板在高功率场景下已经接近物理极限，陶瓷基板成为必选项。 英伟达GB200 GPU功耗1000W，Rubin平台功耗翻倍至2000W。功耗翻倍意味着热量翻倍，散热难度指数级上升。有机基板的导热系数通常在1-5 W/(m·K)，而氮化硅可以达到300 W/(m·K)。 HBM先进封装对陶瓷基板的需求更加迫切。HBM是高带宽存储器，多层DRAM芯片堆叠在一起，功耗密度极高。 如何在极小空间内快速散热，同时保证电气性能和长期可靠性，是封装设计的核心难题。陶瓷基板的高导热、高绝缘、低热膨胀系数特性，正好匹配这个需求。 最近在网上热度很高的光模块，同样依赖陶瓷基板。 1.6T/3.2T高速光模块，数据传输速率越高，功耗越大，发热越严重。光芯片对温度极其敏感，温度波动会直接影响光信号质量。氮化铝薄膜基板可以快速散热，同时保证热稳定性，是高速光模块的关键材料。 但陶瓷基板的生产工艺是非常复杂的，还有一个问题，